商品名稱:IR38365MTRPBF
數(shù)據(jù)手冊:IR38365M.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:QFN
貨期:自營現(xiàn)貨
庫存數(shù)量:4000 件
該系列 OPTIMOS IPOL 設備提供易于使用、完全集成的高效 DC/DC 穩(wěn)壓器英特爾 SVID 和 I2C/PMBus 接口。片上 PWM控制器和共同封裝的低占空比優(yōu)化MOSFET 使這些設備成為節(jié)省空間的解決方案,為低輸出電壓提供準確的電力輸送和需要英特爾 SVID 的大電流應用界面。
這些多功能設備提供開關的可編程性頻率、輸出電壓和故障/警告閾值和故障響應,同時在寬輸入范圍內操作范圍。因此,它們提供了靈活性和系統(tǒng)級發(fā)生故障時的安全性。開關頻率可編程為 150 kHz 至1.5兆赫。片上傳感器和 ADC 以及 SVID 和PMBus 接口(IR18163 和 IR38363)或 SVID 和 I2C接口(IR38165 和 IR38365)使其易于監(jiān)控并報告輸入電壓、輸出電壓、輸出電流和溫度。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: 開關穩(wěn)壓器
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PQFN-26
拓撲結構: Buck
輸出電壓: 500 mV to 14 V
輸出電流: 15 A
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸入電壓(最小值): 1.5 V
輸入電壓(最大值): 16 V
開關頻率: 150 kHz to 1.5 MHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
輸入電壓: 1.5 V to 16 V
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 39 mA
產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators
關閉: Shutdown
工廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: PMIC - Power Management ICs
電源電壓-最小: 1.5 V
類型: Buck Regulator
單位重量: 115.240 mg
產(chǎn)品應用
?基于英特爾? VR13 和 VR12.5 的系統(tǒng)
?服務器和高端臺式機 CPU VR,用于非核心應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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