商品名稱(chēng):SAF-XE164FM-72F80LAA
數(shù)據(jù)手冊(cè):SAF-XE164FM-72F80LAA.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:QFP100
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1400 件
SAF-XE164FM-72F80L AA XE164xM 系列(16 位單芯片實(shí)時(shí)信號(hào)控制器)是英飛凌 XE166 系列全功能單芯片 CMOS 微控制器的一部分。這些器件在指令(MAC 單元)、外設(shè)和速度方面擴(kuò)展了 C166 系列產(chǎn)品的功能和性能。將高 CPU 性能(高達(dá) 8000 萬(wàn)指令每秒)與擴(kuò)展外設(shè)功能及增強(qiáng) IO 能力相結(jié)合。經(jīng)過(guò)優(yōu)化的外設(shè)可靈活適配,滿足應(yīng)用要求。這些衍生產(chǎn)品通過(guò) PLL 和內(nèi)部或外部時(shí)鐘源進(jìn)行時(shí)鐘生成。片上內(nèi)存模塊包括程序閃存、程序 RAM 和數(shù)據(jù) RAM。
規(guī)格
產(chǎn)品種類(lèi): 16位微控制器 - MCU
系列: SAxXE164FM
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-100 EP
核心: C166
程序存儲(chǔ)器大小: 576 kB
數(shù)據(jù)總線寬度: 16 bit
ADC分辨率: 10 bit
最大時(shí)鐘頻率: 80 MHz
輸入/輸出端數(shù)量: 76 I/O
數(shù)據(jù) RAM 大小: 32 kB
電源電壓-最小: 3 V
電源電壓-最大: 5.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
高度: 1.4 mm
接口類(lèi)型: CAN, I2S, SPI, UART
長(zhǎng)度: 14 mm
濕度敏感性: Yes
ADC通道數(shù)量: 16 Channel
計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量: 5 Timer
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型: Flash
工廠包裝數(shù)量: 1400
寬度: 14 mm
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
DSBGA-24
20000
MSP430 CPU16 MSP430? FRAM 微控制器 IC 16 位 16MHz 8.5KB(8.5K x 8) FRAM 24-DSBGA
NXP
LQFP-112
6600
16 位微控制器 - MCU 16 位 MCU,S12X 內(nèi)核,256KB 閃存,40MHz,-40/+105degC,汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,QFP 112
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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