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    產(chǎn)品分類

    AI 處理器

    AI 加速器

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    商品型號(hào):IPDQ60R022S7A

    商品名稱:IPDQ60R022S7A

    數(shù)據(jù)手冊(cè):IPDQ60R022S7A.pdf

    品牌:INFINEON

    年份:23+

    封裝:PG-HDSOP-22-1

    貨期:全新原裝

    庫存數(shù)量:8000

    數(shù)量:
    在線詢價(jià)

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    公司名稱:

    技術(shù)參數(shù)

    制造商
    INFINEON
    型號(hào)
    IPDQ60R022S7A
    封裝
    PG-HDSOP-22-1
    描述
    N通道600 V 24A(Tc)416W(Tc)表面貼裝型

    產(chǎn)品描述

    集成電路芯片 IPDQ60R022S7A N通道 600V CoolMOSTM SJ S7A功率器件,高壓功率MOSFET晶體管


    型號(hào):IPDQ60R022S7A
    封裝:PG-HDSOP-22-1
    類型:N通道MOSFET晶體管


    產(chǎn)品規(guī)格
    FET類型:N通道
    技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    漏極-源極電壓(Vdss):600 V
    電流-25°C時(shí)的連續(xù)漏極(Id):24A(Tc)
    柵極電荷(Qg)(最大)@Vgs: 150nC@12V
    Vgs(最大):±20V
    輸入電容(Ciss)(最大)@Vds:5640 pF@300 V
    功耗(最大):416W(Tc)
    工作溫度:-40°C~150°C(TJ)
    安裝類型:表面貼裝型
    封裝/外殼:PG-HDSOP-22-1,22 PowerBSOP模塊


    IPDQ60R022S7A技術(shù)能夠以最小的占地面積實(shí)現(xiàn)一流的RD(開)。Kelvin源引腳提高了高電流下的開關(guān)性能。

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    型號(hào)

    品牌

    封裝

    數(shù)量

    描述

    IPDQ60R020CFD7

    INFINEON

    PG-HDSOP-22

    3000

    600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

    NVMFD5C672NLT1G

    ON

    8-DFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVMFD5C466NWFT1G

    ON

    8-DFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVMFS5C680NLWFT1G

    ON

    5-DFNW

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVMFS5C442NLAFT1G

    ON

    5-DFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVMFS5C468NLAFT1G

    ON

    5-DFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVTFS5C670NLTAG

    ON

    8-WDFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVTFS5C673NLTAG

    ON

    8-WDFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVTFS5C471NLWFTAG

    ON

    8-WDFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    NVTFS5C453NLTAG

    ON

    8-WDFN

    2000

    單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    常見問題

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    INFINEON

    INFINEON

    英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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