商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:ST
年份:21+
封裝:PowerFLAT 8x8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
STL26N60DM6 N溝道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與之前的MDmesh快速一代相比,DM6結(jié)合了非常低的恢復(fù)電荷(Qrr)、恢復(fù)時(shí)間(trr)和單位面積RDS(on)的顯著提高,以及市場上最有效的開關(guān)行為之一,適用于要求最苛刻的高效橋式拓?fù)浜蚙VS移相轉(zhuǎn)換器。
齊納保護(hù)
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
型號
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封裝
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描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進(jìn)的溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),具有高效能、快速開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。其技術(shù)規(guī)格如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開關(guān)和高效率的應(yīng)用場景?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款I(lǐng)GBT,采用先進(jìn)的專有溝槽柵極場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W開關(guān)能量:1.66…STM32G051G8U3
STM32G051G8U3主流微控制器基于Arm Cortex-M0+ 32位RISC核心,工作頻率可達(dá)48 MHz?。它具有64 KB的Flash程序存儲(chǔ)器和18 KB的RAM,適用于各種應(yīng)用場景,包括消費(fèi)者、工業(yè)和家電領(lǐng)域,并且適用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格產(chǎn)品:STM32G…電話咨詢:86-755-83294757
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